KP2203LGA/KP2205LGA芯片功能描述,內(nèi)置65k/100kHz開關(guān)頻率振蕩器
類別：產(chǎn)品新聞 發(fā)布時(shí)間：2025-10-23 11:56:44 瀏覽人數(shù)：10004
PD快充、氮化鎵、多口輸出……當(dāng)適配器功率節(jié)節(jié)攀升時(shí)，工程師卻常被三件事折磨：
寬電壓輸入（90-264 VAC）與USB-C 5-20 V輸出的巨大跨度；
六級能效對輕載效率與待機(jī)功耗（<75 mW）的嚴(yán)苛紅線；
越來越小的外殼里，元件被“擠”到發(fā)燙，還要過EMI。
KP2203LGA（65 kHz）與KP2205LGA（100 kHz）就是在這種“夾縫”里誕生的電流模式PWM控制器。它把“寬VDD、谷底導(dǎo)通、綠色打嗝、全套保護(hù)”做成了一顆6-pin SOT23，讓工程師告別“外圍堆砌”時(shí)代。
一眼看懂它——關(guān)鍵特色
超寬VDD：8-70 V，直接由輔助繞組供電，省去LDO和啟動電阻功耗；
雙頻可選：65 kHz（KP2203LGA）/100 kHz（KP2205LGA），兼顧尺寸與效率；
中載谷底導(dǎo)通（QR）：降低開關(guān)損耗，平均效率提升1-2 %；
輕載Burst+降頻：22 kHz最低打嗝頻率，無異音，待機(jī)<75 mW；
全套保護(hù)：OLP、SCP、OVP、UVP、OTP、CS-OVP、LEB、VDD-OVP/鉗位，一個(gè)都不少；
EMI友好：±4 %頻率抖動+軟驅(qū)動，傳導(dǎo)輻射余量>6 dB；
4 ms軟啟動：抑制開機(jī)應(yīng)力，變壓器“零”飽和聲；
SOT23-6L：3000顆/盤，兼容貼片機(jī)，占板面積僅9 mm2。
管腳圖與定義
GND（1）：芯片地，兼顧散熱焊盤作用；
FB（2）：光耦反饋輸入，0.9 V/0.95 V Burst進(jìn)出閾值；
DEM（3）：去磁檢測+輸出OVP/UVP+短路保護(hù)，三合一；
CS（4）：原邊電流采樣，0.45 V OCP，外接NTC可做OTP；
VDD（5）：8-70 V供電，內(nèi)置75 V鉗位，啟動電流<20 μA；
GATE（6）：圖騰柱輸出，+300 mA/-500 mA，13 V鉗位，軟驅(qū)動斜率可控。
把芯片“拆開”看——內(nèi)部框圖亮點(diǎn)
雙振蕩器：65 k/100 k主頻+22 k輕載低頻；
谷底檢測：比較器窗口50 mV/80 mV，鎖定最小漏極振鈴谷底；
斜率補(bǔ)償：占空比>50 %自動注入，徹底告別次諧波；
頻率抖動：16 ms周期，±4 %擺幅，EMI峰值能量被“抹平”；
OTP：芯片結(jié)溫145 °C關(guān)斷，115 °C恢復(fù)，差值30 °C防“打嗝”。
典型應(yīng)用電路（90-264 VAC→20 V/3.25 A PD）
啟動電阻：2×1 MΩ，0.25 W，待機(jī)功耗<15 mW；
RCD吸收：100 V以下MOS即可，漏極振鈴<550 V；
變壓器：RM8/EFD25，65 kHz用Φ0.25 mm×60 T，100 kHz可縮1匝；
EMI：共模電感+π型濾波，頻率抖動后，QP余量>8 dB。
工作模式“四重奏”
滿載QR：谷底導(dǎo)通，效率92 %@230 VAC；
中載降頻：頻率線性下降，保持谷底；
輕載Burst：FB<0.9 V停開關(guān)，>0.95 V恢復(fù)，22 kHz最低；
空載“打瞌睡”：僅0.3 mA VDD電流，輸出紋波<50 mV。
保護(hù)功能“全家福”
逐周期OCP：CS 0.45 V，前沿消隱250 ns，防誤導(dǎo)通；
OLP：FB>3.6 V持續(xù)75 ms，進(jìn)入打嗝；
SCP：DEM<0.5 V持續(xù)37 ms，判定短路；
OVP/UVP：輸出過壓3.6 V×6周期，欠壓0.4 V×37 ms；
VDD OVP：75 V關(guān)斷，80 V鉗位；
OTP：片內(nèi)145 °C，外置NTC觸發(fā)CS-OVP 0.5 V；
LEB：250 ns屏蔽電流尖刺，MOSFET安心開通。
65 kHz or 100 kHz？一張表搞定選型
| 場景 | 65 kHz KP2203LGA | 100 kHz KP2205LGA |
|---|
| 磁芯尺寸 | 稍大 | 可小一號 |
| 效率 | 滿載略高0.3 % | 中載高1 % |
| EMI | 低頻好調(diào) | 需加強(qiáng)共模 |
| 成本 | 變壓器便宜 | 整體BOM低5 % |
| 推薦功率 | ≤33 W | ≤30 W（小體積） |
熱實(shí)測——20 V/3.25 A滿載，40 °C風(fēng)道
MOS溫度：85 °C（65 kHz）/88 °C（100 kHz）；
KP220本體：結(jié)溫105 °C，余量40 °C；
效率：230 VAC下92.1 %，滿足CoC V5 Tier 2。
EMI“秘籍”
頻率抖動已內(nèi)建，傳導(dǎo)峰值降低3-5 dB；
GATE軟驅(qū)動斜率可調(diào)，換dv/dt更溫柔；
輔助繞鋪銅當(dāng)“屏蔽”，DEM采樣走線遠(yuǎn)離高壓；
屏蔽繞組+Y電容≤220 pF，輻射30 MHz一次性過。
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結(jié)語
KP2203LGA與KP2205LGA用“6只腳”完成了傳統(tǒng)8-10腳芯片才能做到的功能：寬VDD、谷底QR、綠色打嗝、全保護(hù)、EMI優(yōu)化。對于18-33 W的PD快充、家電輔助電源、工業(yè)24 V適配器，它們提供了“一步到位”的解決方案——讓65 kHz與100 kHz在掌心跳動，工程師只需安心畫好PCB，剩下的交給KP220XLGA系列即可。
