LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流控 制芯片，適用于AC-DC的同步整流應(yīng)用，適用于 正激系統(tǒng)和反激系統(tǒng)。LP35118V支持DCM和CCM 多種工作模式。

LP35118V 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動(dòng)芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在CCM 工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。

LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片 VCC不會(huì)欠壓。 LP35118V 采用SOT23-6L 封裝。

產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 隔離型的同步整流控制應(yīng)用
• 適用正激和反激系統(tǒng)
• 兼容DCM和CCM多種工作模式
• 控制芯片200V高耐壓
• 驅(qū)動(dòng)低閾值NMOS
• 專利的整流管開通技術(shù)
• 極快的關(guān)斷速度
• 可調(diào)的同步MOS關(guān)斷閾值
• 集成VCC供電技術(shù)
• 芯片供電欠壓保護(hù)
• 芯片過壓鉗位
• 芯片啟動(dòng)前驅(qū)動(dòng)腳防誤導(dǎo)通
• 外圍元器件少
• 符合ROHS,HF&REACH要求

應(yīng)用領(lǐng)域：充電器和適配器的同步整流 、正激控制器和反激控制器

典型應(yīng)用：

管腳封裝：

LP35118V 是一款高性能高耐壓的副邊同步整流 芯 片，適用于隔離型的同步整流應(yīng)用，適用于正激 和反激系統(tǒng)，支持DCM和CCM多種工作模式。 LP35118V 采用專利的整流管開通判定技術(shù)，可以 有效的避免因激磁振蕩引起的驅(qū)動(dòng)芯片誤開通。 LP35118V 具有極快的關(guān)斷速度，可以大幅度降低 在CCM工作條件下因關(guān)斷延遲造成的效率損失。 LP35118V 集成 VCC 供電技術(shù)，在不需要輔助繞 組供電的情況下，保證芯片VCC不會(huì)欠壓。

啟動(dòng)

當(dāng)系統(tǒng)上電后，通過內(nèi)置MOS的體二極管對(duì)輸出 電容充電，輸出電壓上升。LP35118V通過D腳連 接輸出電壓，當(dāng)輸出電壓上升時(shí)，經(jīng)過芯片內(nèi)部 供電電路，給VCC電容充電，當(dāng)VCC的電壓充 到開啟閾值電壓時(shí)，芯片內(nèi)部控制電路開始工作， MOS正常的導(dǎo)通和關(guān)斷。MOS正常的導(dǎo)通時(shí)，電 流不再?gòu)捏w二極管流過，而從MOS的溝道流過。芯片正常工作時(shí)，所需的工作電流仍然會(huì)通過D 腳，給VCC供電。

同步整流管導(dǎo)通

DCM工作時(shí)，由于電感的激磁作用，當(dāng)初級(jí)芯片 關(guān)斷時(shí)，會(huì)產(chǎn)生振蕩。為了防止誤檢測(cè)振蕩信號(hào)， 導(dǎo)致同步整流管的異常開啟， LP35118V采用專 利的整流管開通技術(shù)。 當(dāng)初級(jí)芯片關(guān)斷時(shí)，次級(jí)LP35118V的漏極D與 GND之間的電壓迅速下降。 LP35118V通過檢測(cè) D和GND之間的下降電壓閾值和下降速率，能準(zhǔn) 確的判斷同步整流管的開啟。